螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計

2016-12-11  by:CAE仿真在線  來源:互聯(lián)網(wǎng)



1. 引言


吸波材料不斷向著“薄、輕、強”的方向發(fā)展,低反射超寬頻帶的吸波材料成為當今研究的重點。自從1989年J. C. Chunder進行螺旋結構研究以來,國內(nèi)外很多高校和研究機構在螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的研究方面也取得 了一定的成果。


2. 螺旋結構吸波的理論分析


手性材料是一種幾何上的概念,物體在空間經(jīng)過任何旋轉都不能與其鏡像相重合的結構材料。與普通材料相比,螺旋結構對通過其的電磁波存在兩種相互作用。一 種是由于螺旋結構的材料電磁參數(shù)所體現(xiàn)的對電磁波的吸收作用;另一種是由于螺旋結構的結構交叉極化作用實現(xiàn)對電磁的吸收。在螺旋結構中電磁場之間的本構關系表示為:

螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計CST電磁培訓教程圖片1(1)

式(1)中,ε,μ和ξ 分別為材料的相對介電常數(shù),相對磁導率和螺旋結構的手性參數(shù)。

對于厚度為 d 的手性吸波材料,反射系數(shù)可以由式(2)表示:

螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計CST電磁仿真分析圖片2(2)

式(2)中,Z 為材料的阻抗??梢杂墒?3)表示:

螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計CST電磁仿真分析圖片3(3)

式(3)中,螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計CST電磁仿真分析圖片4,螺旋結構人工電磁媒質(zhì)的優(yōu)化設計CST電磁仿真分析圖片5,d 為手性材料的厚度,η為本征波阻抗。從式(3)可以發(fā)現(xiàn),對于手性材料而言,材料的反射系數(shù)與其手性參數(shù)有關。如果合理控制螺旋結構的手性 參數(shù)可以提高螺旋結構的吸波性能。而且研究發(fā)現(xiàn),對于螺旋結構的手性材料,手性參數(shù)的大小與螺旋半徑和螺旋的旋間距的比值有關。


3. 仿真計算


在進行優(yōu)化計算之前,首先對螺旋結構的吸波性能進行研究,仿真計算了雙螺旋結構的模型如圖1所示。螺旋結構的半徑為0.3mm、旋間距為0.7mm,其下面放有0.5mm×0.5mm的正方形全反射板;螺旋結構材料的電磁參數(shù)為:相對介電常數(shù)和相對磁導率為1,介質(zhì)損耗角正切和磁損耗角正切為0,材料的電導率為10S/m。

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圖 1 立體雙螺旋結構

對上面的結構單元利用電磁仿真軟件CST進行仿真計算,得到螺旋結構的反射系數(shù)如圖2所示。

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圖 2 雙螺旋結構的反射系數(shù)


從圖2中的反射系數(shù)結果發(fā)現(xiàn),螺旋結構單元的反射系數(shù)很大,與相關文獻報道中的螺旋結構有很好的吸波性能的說法有很大的差距。為了驗證螺旋結構的吸波性能,對螺旋結構周圍的電場進行分析,得到螺旋結構周圍電場的分布如圖3所示。

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圖 3 雙螺旋結構周圍的電場分布


從圖3可知,螺旋結構周圍的電場與其他位置的電場相比有很大的衰減,說明螺旋結構對通過自己的電磁波有很強的吸收,但是圖2中的反射系數(shù)的仿真計算結果比較大。于是對圖1中的螺旋結構進行分析,發(fā)現(xiàn)反射系數(shù)很大的主要原因是由于螺旋結構不能很好覆蓋其下面的全反射板,全反射板的強反射作用使得反射系數(shù)增大。

為了改進圖1中的螺旋結構單元中存在的缺點,在新建立的結構單元中,利用一個中心掏空的立方體放置在螺旋結構單元的外面,解決由于全反射板的反射作用對反射系數(shù)的影響,改進的螺旋結構單元模型如圖 4 所示。

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圖 4 外面放置立方體結構的 螺旋結構模型


圖4與圖1中螺旋結構的結構參數(shù)和材料參數(shù)相同,唯一的區(qū)別是在圖4的模型外面放置了一定大小的正方形盒子,利用仿真計算軟件CST對上面的螺旋結構進行仿真計算。同時為了驗證建立的螺旋結構的吸波效果,對與圖4中的螺旋結構大小和材料相同的立方體結構單元進行仿真計算。對兩種情況的結構單元的反射系數(shù)進行比較,如圖5所示。

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圖 5 雙螺旋結構與吸波材料反射系數(shù)的比較

從圖5可以發(fā)現(xiàn),由螺旋結構組成的結構單元的反射系數(shù)比完全由吸波材料組成的結構單元的反射系數(shù)平均有2dB的差值。產(chǎn)生這一結果的主要原因是由于螺旋結構的交叉極化作用對電磁波的強吸收使得反射系數(shù)相對減小。

根據(jù)前面的理論分析,可知螺旋結構的反射系數(shù)與螺旋結構的結構參數(shù)有關。為設計吸波性能更好的螺旋結構單元,對螺旋結構的結構參數(shù)進行優(yōu)化設計。在優(yōu)化的過程中,以圖4中的螺旋結構為基礎,優(yōu)化的變量是螺旋結構的半徑和螺旋結構的旋間距的比值,優(yōu)化變量的范圍是[0.1,0.23]。優(yōu)化主要是利用Matlab軟件編寫的腳本命令和遺傳優(yōu)化算法相結合建立的優(yōu)化系統(tǒng)對上面的螺旋結構單元進行優(yōu)化設計,優(yōu)化設計計算的結果如圖6所示。

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圖 6 不同螺旋半徑與螺旋的旋間距比值的情況下的反射系數(shù)的比較

從圖6所示的優(yōu)化計算結果可以發(fā)現(xiàn),當螺旋半徑與螺旋的旋間距比值為0.15時,相對其他比值情況反射系數(shù)比較小,而且在2~18GHz 范圍內(nèi),反射系數(shù)小于-5dB的帶寬接近10GHz。這主要是由于當螺旋半徑與螺旋的旋間距的比值為0.15時螺旋結構的手性參數(shù)最大。此時由于交叉極化作用對電磁波的吸收最強,結構對電磁波的交叉極化的吸收最大,所以反射系數(shù)比較小,而且?guī)挶容^寬。


4 . 結論


通過對螺旋結構周圍電場分布的分析,對原有的螺旋結構進行改進。發(fā)現(xiàn)改進的螺旋結構的吸波效果好于同樣大小和材料的整塊材料。利用優(yōu)化系統(tǒng)對改進的螺旋結構進行了分析和優(yōu)化設計,結果表明,當螺旋半徑與螺旋的旋間距比值為0.15時,在2~18GHz的頻帶內(nèi), 反射系數(shù)小于-5dB衰減的帶寬達到10GHz。


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